太陽能發電半導體超純水守護清洗工藝

　　清洗不但是半導體生產制造加工工藝的關鍵構成部分，也是危害半導體元器件良品率的主要要素之一。清洗是晶圓生產加工和生產制造環節中的一個關鍵部分。為了更好地將殘渣對處理芯片良品率的危害減少，在現實生產過程中，不但要確保一次清洗的高效率，并且要在幾乎全部加工工藝前后左右開展經常的清洗。它是光伏電池芯片生產制造、光刻技術、離子注入、堆積等重要加工工藝中不可或缺的階段。

　　1、在單晶硅片生產制造環節中，必須對打磨拋光單晶硅片開展清洗，以保障其表層平面度和性能，進而提升后面生產加工的良品率。

　　2、在晶圓制造全過程中，必須在光刻技術、蝕刻加工、離子引入、開膠、涂膜、研磨拋光等重要工藝流程前后左右對晶圓開展清洗，以除去晶圓環境污染的有機化學殘渣，減少缺陷率，提升良品率。

　　3、在集成電路芯片全過程中，必須依據封裝形式加工工藝對處理器開展TSV(硅破孔)清洗、UBM/RDL(突點底端金屬材料/膜重遍布技術性)清洗和鍵合清洗。

　　在進到每一個加工工藝以前，單晶硅片表層務必清理，清潔流程務必多次，以除去表層上的污染物質。芯片制造必須在無塵室房間內開展。在芯片制造全過程中，一切環境污染都是會危害處理芯片上元器件的。環境污染殘渣就是指半導體生產制造環節中引進的一切化學物質，這種物質會嚴重危害處理芯片的產銷量和電氣設備性能。實際污染物質包含細顆粒物、有機化合物、金屬材料和純天然空氣氧化層。如果不立即消除以上受環境污染的殘渣，很有可能造成后面加工工藝不成功，造成電氣設備常見故障，造成處理芯片損毀。

　　依據世界半導體貿易統計協會(WSTS)公布的預測分析匯報，因為對處理芯片的強悍要求，2021年全世界半導體銷售總額將大幅度提高。預估將提高19.7%至5272.23億美元，遠高于2020年12月預估的4694.03億美元(年提高8.4%)。

　　伴隨著半導體工業生產的飛速發展，對清理純水電導率、離子含量、TOC、DO和顆粒的需求更加嚴苛。因為超純水在很多指標值上對半導體的標準很高，因而半導體領域的超純水與別的行業的自來水規定不一樣。半導體領域對超純水有極為嚴謹的水體規定。現階段，中國常見的超純水規范有國家行業標準《電子級水》(GB/T11446.1-2013)和美國規范《電子和半導體行業用超純水指南》(ASTM-D5127-13)。美國標準對指標值規定更嚴苛。

　　在半導體生產過程中，硼是一種P型殘渣。過多會使N型硅翻轉，進而危害電子器件和空穴的濃度值。因而，在超純水工業生產中應考慮到硼的除去。電子器件和半導體工業級超純水規范指引(ASTM-D5127-13)規定硼離子≤0.05ine1.3μg/L。假如硼離子含量可以做到較低的指標值，則必定會改進半導體的性能。

　　半導體超純水加工工藝中Huncotte系統軟件采用核級環氧樹脂，可根據特有的靶向治療離子互換環氧樹脂合理自動控制系統出水量的硼離子含量。選用IPC-MS檢驗硼離子含量，并對硼離子流出物開展剖析≤0.005μG/L遠小于硼離子的規定≤ASTM-D5127-13規范中E1.3中的0.05μg/L。大家堅信更優質的超純水可以給半導體產生更佳的性能，給半導體公司產生更強的優點。