國產(chǎn)芯片實現(xiàn)“趕超”的背后，離不開超純水設(shè)備

　　眾所周知，中國是全世界芯片進口量非常大的國家，但其中有超過70%的需求都是中低端芯片。雖然美國對華為進行了芯片斷供，限制了高端芯片的使用，但如果中國能夠?qū)崿F(xiàn)中低端芯片的自由，也能很大程度降低對美芯片的依賴，被“卡脖”風險也會下降。

　　有消息傳出，14nm芯片封鎖將會被打破!據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，100%純正的14nm國產(chǎn)芯片將在2023年實現(xiàn)量產(chǎn)。我國將在明年實現(xiàn)14nm純國產(chǎn)芯片的消息一經(jīng)傳出，瞬間在西方科技界引起了廣泛的關(guān)注與討論，美國科學院院士更是發(fā)出無奈的感慨：中國學者都不睡覺嗎?居然僅用了兩三年的時間，就走完了西方科學家十余年才走完的路，且在某些細分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了“趕超”。

　　美國院士發(fā)出這樣的感慨也不難理解，畢竟芯片制造是一項龐大的項目工程，工序十分繁瑣，且需要大量設(shè)備、化學材料的支撐，我國實現(xiàn)了14nm芯片的量產(chǎn)，標志著我國半導體產(chǎn)業(yè)的整體水平已經(jīng)達到了14nm，與西方雖然存在著技術(shù)差距，但這種差距可以通過“堆疊”的方式進一步縮小。

　　縮小差距的設(shè)備除了芯片生產(chǎn)的常用設(shè)備外，還有一個十分重要，它是芯片用水的生產(chǎn)者-超純水設(shè)備。超純水設(shè)備可生產(chǎn)出芯片生產(chǎn)過程中的清洗用水超純水，保證了芯片的良品率。采用雙反滲透、EDI、拋光混合床相結(jié)合的制水工藝，具有水利用率高、運行可靠、經(jīng)濟合理等特點。

　　萊特萊德經(jīng)過多年實踐，同時結(jié)合膜分離技術(shù)，采用反滲透加離子交換系統(tǒng)(或EDI)相結(jié)合的工藝來制取超純水，該工藝與傳統(tǒng)工藝相比具有運行成本低的優(yōu)點(離子交換器的再生周期大大延長)，運行可靠。萊特萊德超純水設(shè)備出水水質(zhì)符合美國ASTM D5127電子及半導體業(yè)用純水水質(zhì)TypeE-1.2，高于我國國家電子級超純水標準GBT11446.1-1997EW-Ⅰ標準。