單晶硅清洗用超純水設(shè)備

　　單晶硅是指硅的單晶體，具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。

　　太陽(yáng)能電池行業(yè)要應(yīng)用單晶硅，首先就要對(duì)其加工清洗，而超純水設(shè)備就是一種出水電阻率非常高，不含任何雜質(zhì)，不導(dǎo)電的設(shè)備，符合單晶硅的清洗需求。

　　萊特萊德單晶硅清洗用超純水設(shè)備在設(shè)計(jì)上采用雙級(jí)反滲透與EDI及拋光混床相結(jié)合的制水工藝，具有水利用率高，運(yùn)行可靠，經(jīng)濟(jì)合理等特點(diǎn)。但是單晶硅清洗用超純水設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間工作后，如果不定期進(jìn)行維護(hù)，就很容易被污染，因此單晶硅清洗用超純水設(shè)備要這樣“呵護(hù)”，才能保證設(shè)備出水水質(zhì)符合要求。

　　1、將清洗液進(jìn)行混合。

　　2、用清洗泵低流量將清洗液以低流速、低壓力打至反滲透系統(tǒng)，并排走原水，防止清洗液稀釋。

　　3、保持設(shè)備溫度穩(wěn)定，用清洗泵將清洗液在系統(tǒng)中循環(huán)。

　　4、清洗泵進(jìn)行浸泡一小時(shí)即可，污染較嚴(yán)重的反滲透膜可進(jìn)行更長(zhǎng)時(shí)間的浸泡清洗。

　　5、用清洗泵大流量打入清洗液30—60分鐘，使反滲透膜上被洗掉的污染物隨高流速水沖走。

　　6、用清水將清洗液沖去。此外，用酸清洗時(shí)應(yīng)測(cè)pH值，當(dāng)pH值上升0.5以上時(shí)應(yīng)增加酸量。

　　萊特萊德超純水設(shè)備可以連續(xù)穩(wěn)定的制備品質(zhì)優(yōu)良的超純水，水質(zhì)穩(wěn)定在ppt級(jí)別，尤其是硼離子可以≤5ppt，能夠更好助力集成電路企業(yè)的發(fā)展，形成更強(qiáng)大的企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。